檢索結果：共15筆資料 檢索策略： "Dong-Hau Kuo".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="薄膜"
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成，利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中，探討靶材中不同Ag含量比例，不同硫化物與…
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本論文以實驗室自行壓製硫氧化物電解質靶材，採用RF反應式濺鍍法進行製備氧硫化物電解質的Li2SnOS薄膜，欲將硫化物電解質之高離子傳導性與氧化物電解質之穩定性相結合，得到兼顧化學安定與高鋰離子傳導的…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜，並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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近年來，有越來越多人開始投入太陽能電池的研究，因此技術進步的很快，目前研究雖然都有不錯的轉換效率，但由於成本高昂，故一直無法普及，因此找尋新的材料來壓低太陽能電池成本是必需的，然而在各種新材料被研究…
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近年來隨著工業發展，電力短缺的狀況下，能源的開發成為全球首要的目標之一，其中又以儲能裝置最受到矚目，目前主要的儲能裝置為鋰電池、超級電容、燃料電池等，但鋰電池以及燃料電池有造價昂貴，原料難以取得，放…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…